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2SA1954

更新时间： 2024-01-10 22:01:07

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科信 - KEXIN		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	53K
描述
Silicon PNP Epitaxial

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2SA1954 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Lifetime Buy	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.59
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	500
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	130 MHz

2SA1954 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

Silicon PNP Epitaxial

2SA1954

Features

Low saturation voltage VCE(sat) (1) = -15 mV (typ.)

Large collector current IC = -500 mA (max)

1 Emitter

2 Base

3 Collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

-15

Unit

-12

-5

-500

-50

Base current

I^B

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

P^C

100

125

Tstg

-55 to +125

www.kexin.com.cn

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