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2SA1955A

更新时间: 2024-01-14 17:36:36
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其他 - ETC 晶体晶体管
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5页 197K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 12V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-416

2SA1955A 技术参数

生命周期:Lifetime Buy包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.6
最大集电极电流 (IC):0.4 A集电极-发射极最大电压:12 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):500
JESD-30 代码:R-PDSO-F3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.15 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):130 MHz

2SA1955A 数据手册

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