5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.8 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1920TV4/Q | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| 2SA1920TV6/N | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| 2SA1920TV6/NP | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| 2SA1920TV6/PQ | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| 2SA1920TV6/Q | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| 2SA1923 | TYSEMI |
获取价格 |
High Voltage:VCBO=-400V Low Saturation Voltage:VCE(sat)=-1V(Max.) |
|
| 2SA1923 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS) |
|
| 2SA1923 | KEXIN |
获取价格 |
Silicon PNP Transistor |
|
| 2SA1923(2-7B1A) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7B1A, 3 PIN, BIP General Pur |
|
| 2SA1923(2-7B2A) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7B2A, 3 PIN, BIP General Pur |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
