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2SA1932

更新时间: 2024-11-20 21:55:39
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
3页 115K
描述
TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE

2SA1932 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Lifetime Buy包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.46Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:230 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):1.8 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):70 MHzBase Number Matches:1

2SA1932 数据手册

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