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ZTX957STZ PDF预览

ZTX957STZ

更新时间： 2024-11-21 21:18:39
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 87K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZTX957STZ 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.12
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：90
JESD-30 代码：R-PSIP-W3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：85 MHz
Base Number Matches：1

ZTX957STZ 数据手册

 浏览型号ZTX957STZ的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ZTX957STZ的Datasheet PDF文件第3页 
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
HIGH CURRENT TRANSISTOR  
ISSUE 3 – JUNE 94  
ZTX957  
FEATURES  
*
*
*
*
*
1 Amp continuous current  
Up to 2 Amps peak current  
Very low saturation voltage  
Excellent gain characteritics up to 1 Amp  
Spice model available  
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-330  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-300  
V
-6  
V
Peak Pulse Current  
-2  
-1  
A
Continuous Collector Current  
Practical Power Dissipation*  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
A
Ptotp  
Ptot  
1.58  
W
W
°C  
1.2  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a  
P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
amb  
= 25°C unless otherwise stated)  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base Breakdown  
Voltage  
V(BR)CBO  
-330  
-330  
-300  
-6  
-440  
-440  
-400  
-8  
V
V
V
V
IC=-100µA  
Collector-Emitter Breakdown V(BR)CER  
Voltag  
IC=-1µA, RB ≤1KΩ  
IC=-10mA*  
Collector-Emitter Breakdown V(BR)CEO  
Voltage  
Emitter-Base Breakdown  
Voltage  
V(BR)EBO  
IE=-100µA  
Collector Cut-Off Current  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
ICBO  
-50  
-1  
nA  
µA  
VCB=-300V  
VCB=-300V, Tamb=100°C  
ICER  
R ≤1KΩ  
-50  
-1  
nA  
µA  
VCB=-300V  
VCB=-300V, Tamb=100°C  
IEBO  
-10  
nA  
VEB=-6V  
Collector-Emitter Saturation  
Voltage  
VCE(sat)  
-60  
-100  
-140  
-100  
-150  
-200  
mV  
mV  
mV  
IC=-100mA, IB=-10mA*  
IC=-500mA, IB=-100mA*  
IC=-1A, IB=-300mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
-870  
-1000 mV  
IC=-1A, IB=-300mA*  
3-327  
123

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