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2SA1933

更新时间: 2024-11-20 22:52:39
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东芝 - TOSHIBA 晶体开关晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 143K
描述
TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS)

2SA1933 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Lifetime Buy包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.46
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):5 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):60JESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):1.8 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):60 MHz
VCEsat-Max:0.4 VBase Number Matches:1

2SA1933 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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