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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-67 |
| 包装说明： | 2-10R1A, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.42 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 180 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 20 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1930I | FOSHAN |
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TO-251 |
|
| 2SA1930S | FOSHAN |
获取价格 |
TO-126 |
|
| 2SA1931 | TOSHIBA |
获取价格 |
High-Current Switching Applications |
|
| 2SA1932 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
|
| 2SA1932_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications |
|
| 2SA1933 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS) |
|
| 2SA1934 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING, DC-DC CONVERTER APPLICATIONS) |
|
| 2SA1934O | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220VAR |
|
| 2SA1934-O | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, 2-10T1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power |
|
| 2SA1934Y | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220VAR |
|
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