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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Lifetime Buy | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.55 | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.17 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1926(TPF2) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,3A I(C),SC-71 |
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| 2SA1926_10 | TOSHIBA |
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Power Amplifier Applications Power Switching Applications |
|
| 2SA1928 | ISAHAYA |
获取价格 |
FOR LOW NOISE DIFFERENTIAL AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
|
| 2SA1928F | ISAHAYA |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SA1928G | ISAHAYA |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SA1930 | NJSEMI |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistor |
|
| 2SA1930 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR (POWER, DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SA1930 | FOSHAN |
获取价格 |
TO-220F |
|
| 2SA1930I | FOSHAN |
获取价格 |
TO-251 |
|
| 2SA1930S | FOSHAN |
获取价格 |
TO-126 |
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