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2SA1908

更新时间： 2024-02-27 17:02:42

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管放大器局域网
页数	文件大小	规格书
4页	81K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1908 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3PF
包装说明：	FM100, TO-3PF, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.39	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	90
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1908 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1908

DESCRIPTION

·With TO-3PML package

·Complement to type 2SC5100

APPLICATIONS

·Audio and general purpose

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector

Base

Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-120

-6

UNIT

Open base

Open collector

-8

I_B

Base current

-3

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3 4

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