Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SA1908Y

2SA1908Y

更新时间： 2024-11-20 13:04:11

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三垦 - SANKEN		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数	文件大小	规格书
1页	28K
描述
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, FM100, TO-3PF, 3 PIN

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2SA1908Y 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3PF
包装说明：	FM100, TO-3PF, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.39	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	90
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1908Y 数据手册

2 S A1 9 0 8

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC5100)

Application : Audio and General Purpose

External Dimensions FM100(TO3PF)

■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

■Electrical Characteristics

(Ta=25°C)

Symbol

2SA1908

Unit

Conditions

2SA1908

Unit

µA

Symbol

±0.2

5.5

±0.2

15.6

±0.2

3.45

I^CBO

V^CB=–120V

–10max

–120min

50min

–120

V^CBO

VCEO

VEBO

IEBO

V^EB=–6V

–120

V(BR)CEO

hFE

I^C=–50mA

–6

±0.2

ø3.3

V^CE=–4V, IC=–3A

I^C=–3A, IB=–0.3A

V^CE=–12V, IE=0.5A

V^CB=–10V, f=1MHz

–8

–3

VCE(sat)

–0.5max

20typ

MHz

75(Tc=25°C)

150

°C

1.75

0.8

COB

300typ

2.15

+0.2

Tstg

–55 to +150

hFE Rank O(50 100), P(70 140), Y(90 180)

1.05

-0.1

+0.2

±0.1

1.5

±0.1

0.65

-0.1

5.45

1.5

3.35

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

4.4

V^CC

(V)

R^L

(Ω)

I^C

(A)

V^BB2

(V)

I^B1

(A)

I^B2

(A)

ton

(µs)

tstg

(µs)

Weight : Approx 6.5g

a. Type No.

b. Lot No.

VBB1

(V)

–40

–4

–10

–0.4

0.4

0.14typ 1.40typ 0.21typ

–

I^CV^CECharacteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

I^CV^BETemperature Characteristics (Typical)

(VCE=–4V)

–8

–6

–4

–2

–3

–8

–6

–4

–2

–50mA

–25mA

–1

IC=–8A

I^B=–10mA

–4A

–2A

–0.6

Base Current I^B(A)

–1

–2

–3

–4

–0.2

–0.4

–0.8

–1.0

–0.5

–1.0

–1.5

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Base-Emittor Voltage VBE(V)

–

j-a t Characteristics

hFE IC Characteristics (Typical)

hFE IC Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=–4V)

200

100

300

125˚C

Typ

25˚C

100

–30˚C

0.5

–0.02

0.2

100

Time t(ms)

1000 2000

–0.1

–0.5

–1

–5 –8

–0.02

–0.1

–0.5

–1

–5 –8

Collector Current IC(A)

Collector Current I^C(A)

–

f^TIE Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

Pc Ta Derating

(VCE=–12V)

–20

–10

Typ

–5

–1

–0.5

Without Heatsink

Natural Cooling

Without Heatsink

3.5

–0.1

–5

0.02

0.05 0.1

0.5

–10

–50

–100 –150

100

125

150

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Emitter Current I^E(A)

Ambient Temperature Ta(˚C)

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