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2SA1909Y

更新时间： 2024-11-18 21:20:11

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三垦 - SANKEN		/
页数	文件大小	规格书
1页	28K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, FM100, TO-3PF, 3 PIN

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2SA1909Y 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3PF
包装说明：	FM100, TO-3PF, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.4	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	140 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	90
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1909Y 数据手册

2 S A1 9 0 9

Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC5101)

Application : Audio and General Purpose

External Dimensions FM100(TO3PF)

■Electrical Characteristics

■

(Ta=25°C)

Symbol

Ratings

Unit

Ratings

–10max

–140min

50min

Conditions

Symbol

I^CBO

Unit

µA

±0.2

5.5

±0.2

15.6

±0.2

3.45

V^CBO

VCEO

VEBO

–140

V^CB=–140V

V^EB=–6V

–140

IEBO

–6

V(BR)CEO

hFE

I^C=–50mA

±0.2

ø3.3

V^CE=–4V, IC=–3A

I^C=–5A, IB=–0.5A

V^CE=–12V, IE=0.5A

V^CB=–10V, f=1MHz

–10

–4

–0.5max

20typ

VCE(sat)

MHz

80(Tc=25°C)

150

°C

1.75

2.15

0.8

400typ

COB

Tstg

–55 +150

hFE Rank O(50 100), P(70 140), Y(90 180)

+0.2

-0.1

1.05

+0.2

±0.1

1.5

±0.1

0.65

-0.1

5.45

1.5

3.35

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

4.4

R^L

(Ω)

(A)

VBB1

(V)

I_B2

(A)

ton

(µs)

VCC

(V)

V^BB2

(V)

I^B1

(A)

tstg

(µs)

Weight : Approx 6.0g

a. Part No.

b. Lot No.

–10

0.17typ

–60

–5

–0.5

0.5

1.86typ 0.27typ

–

I^CV^CECharacteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

I^CV^BETemperature Characteristics (Typical)

(VCE=–4V)

–10

–8

–3

–10

–8

–6

–4

–2

–1

–6

–4

–2

–25mA

–2

IC=–10A

I^B=–10mA

–5A

–1

–2

–3

–4

–0.5

–1.0

–1.5

–2.0

–1

–1.5

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

Base Current I^B(A)

Base-Emittor Voltage VBE(V)

–

j-a t Characteristics

hFE IC Characteristics (Typical)

hFE IC Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=–4V)

200

125˚C

Typ

100

25˚C

–30˚C

0.5

–0.02

0.1

100

Time t(ms)

1000 2000

–0.1

–0.5

–1

–5

–10

–0.02

–0.1

–0.5 –1

–5

–10

Collector Current I^C(A)

Collector Current IC(A)

–

f^TIE Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

Pc Ta Derating

(VCE=–12V)

–30

–10

–5

Typ

–1

–0.5

Without Heatsink

Natural Cooling

Without Heatsink

3.5

0.02

–0.1

–3

0.1

–5

–10

–50

–100 –200

100

125

150

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Emitter Current I^E(A)

Ambient Temperature Ta(˚C)

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与2SA1909Y相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1916A	ETC	获取价格
2SA1920	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 600V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| SIP
2SA1920N	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 600V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| SIP
2SA1920P	ROHM	获取价格	Transistor
2SA1920Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 600V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| SIP
2SA1920TV2/NP	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1920TV2/P	ROHM	获取价格	100mA, 600V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1920TV2/PQ	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1920TV2/Q	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1920TV3/N	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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