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2SA1909O

更新时间： 2024-11-20 13:04:07
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三垦 - SANKEN 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
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1页 27K
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2SA1909O 数据手册

  
2 S A1 9 0 9  
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC5101)  
Application : Audio and General Purpose  
External Dimensions FM100(TO3PF)  
■Electrical Characteristics  
■
(Ta=25°C)  
Symbol  
2SA1909  
Unit  
2SA1909  
–10max  
–10max  
–140min  
50min  
Conditions  
Symbol  
ICBO  
Unit  
µA  
µA  
V
±0.2  
5.5  
±0.2  
15.6  
±0.2  
3.45  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
–140  
V
VCB=–140V  
VEB=–6V  
–140  
V
IEBO  
–6  
V
V(BR)CEO  
hFE  
IC=–50mA  
±0.2  
ø3.3  
VCE=–4V, IC=–3A  
IC=–5A, IB=–0.5A  
VCE=–12V, IE=0.5A  
VCB=–10V, f=1MHz  
–10  
–4  
A
a
b
IB  
–0.5max  
20typ  
VCE(sat)  
fT  
V
MHz  
pF  
A
PC  
80(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
1.75  
2.15  
0.8  
Tj  
400typ  
COB  
Tstg  
to  
–55 +150  
to  
to  
to  
hFE Rank O(50 100), P(70 140), Y(90 180)  
+0.2  
-0.1  
1.05  
+0.2  
±0.1  
1.5  
±0.1  
0.65  
-0.1  
5.45  
5.45  
1.5  
3.35  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
4.4  
C
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
IB2  
(A)  
ton  
(µs)  
VCC  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(A)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
Weight : Approx 6.0g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
B
E
12  
–10  
0.17typ  
–60  
–5  
5
–0.5  
0.5  
1.86typ 0.27typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=–4V)  
–10  
–8  
–3  
–10  
–8  
–6  
–4  
–2  
–1  
–6  
–4  
–2  
0
–25mA  
–2  
0
IC=–10A  
IB=–10mA  
–5A  
0
0
–1  
–2  
–3  
–4  
0
–0.5  
–1.0  
–1.5  
–2.0  
0
–1  
–1.5  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(A)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=–4V)  
(VCE=–4V)  
200  
3
200  
125˚C  
Typ  
100  
100  
1
25˚C  
–30˚C  
0.5  
50  
50  
30  
20  
–0.02  
0.1  
1
10  
100  
Time t(ms)  
1000 2000  
–0.1  
–0.5  
–1  
–5  
–10  
–0.02  
–0.1  
–0.5 –1  
–5  
–10  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=–12V)  
80  
30  
20  
–30  
–10  
–5  
60  
40  
Typ  
–1  
10  
–0.5  
20  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
Without Heatsink  
3.5  
0
0
0.02  
–0.1  
–3  
0.1  
1
10  
–5  
–10  
–50  
–100 –200  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Emitter Current IE(A)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
37  
1

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与2SA1909O相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1909P ISC

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2SA1909Y SANKEN

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 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SA1916A ETC

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2SA1920 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 600V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SIP
2SA1920N ETC

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 		Transistor
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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 600V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SIP
2SA1920TV2/NP ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1920TV2/P ROHM

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 		100mA, 600V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1920TV2/PQ ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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