Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SA1908O

2SA1908O

更新时间： 2024-11-18 13:04:11

品牌	Logo	应用领域
三垦 - SANKEN		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数	文件大小	规格书
1页	28K
描述
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, FM100, TO-3PF, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA1908O 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3PF
包装说明：	FM100, TO-3PF, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.39	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1908O 数据手册

2 S A1 9 0 8

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC5100)

Application : Audio and General Purpose

External Dimensions FM100(TO3PF)

■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

■Electrical Characteristics

(Ta=25°C)

Symbol

2SA1908

Unit

Conditions

2SA1908

Unit

µA

Symbol

±0.2

5.5

±0.2

15.6

±0.2

3.45

I^CBO

V^CB=–120V

–10max

–120min

50min

–120

V^CBO

VCEO

VEBO

IEBO

V^EB=–6V

–120

V(BR)CEO

hFE

I^C=–50mA

–6

±0.2

ø3.3

V^CE=–4V, IC=–3A

I^C=–3A, IB=–0.3A

V^CE=–12V, IE=0.5A

V^CB=–10V, f=1MHz

–8

–3

VCE(sat)

–0.5max

20typ

MHz

75(Tc=25°C)

150

°C

1.75

0.8

COB

300typ

2.15

+0.2

Tstg

–55 to +150

hFE Rank O(50 100), P(70 140), Y(90 180)

1.05

-0.1

+0.2

±0.1

1.5

±0.1

0.65

-0.1

5.45

1.5

3.35

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

4.4

V^CC

(V)

R^L

(Ω)

I^C

(A)

V^BB2

(V)

I^B1

(A)

I^B2

(A)

ton

(µs)

tstg

(µs)

Weight : Approx 6.5g

a. Type No.

b. Lot No.

VBB1

(V)

–40

–4

–10

–0.4

0.4

0.14typ 1.40typ 0.21typ

–

I^CV^CECharacteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

I^CV^BETemperature Characteristics (Typical)

(VCE=–4V)

–8

–6

–4

–2

–3

–8

–6

–4

–2

–50mA

–25mA

–1

IC=–8A

I^B=–10mA

–4A

–2A

–0.6

Base Current I^B(A)

–1

–2

–3

–4

–0.2

–0.4

–0.8

–1.0

–0.5

–1.0

–1.5

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Base-Emittor Voltage VBE(V)

–

j-a t Characteristics

hFE IC Characteristics (Typical)

hFE IC Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=–4V)

200

100

300

125˚C

Typ

25˚C

100

–30˚C

0.5

–0.02

0.2

100

Time t(ms)

1000 2000

–0.1

–0.5

–1

–5 –8

–0.02

–0.1

–0.5

–1

–5 –8

Collector Current IC(A)

Collector Current I^C(A)

–

f^TIE Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

Pc Ta Derating

(VCE=–12V)

–20

–10

Typ

–5

–1

–0.5

Without Heatsink

Natural Cooling

Without Heatsink

3.5

–0.1

–5

0.02

0.05 0.1

0.5

–10

–50

–100 –150

100

125

150

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Emitter Current I^E(A)

Ambient Temperature Ta(˚C)

中文翻译

下载PDF

与2SA1908O相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1908P	ISC	获取价格	暂无描述
2SA1908Y	SANKEN	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SA1909	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA1909	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA1909	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA1909	SANKEN	获取价格	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose)
2SA1909	NJSEMI	获取价格	Silicon PNP Power Transistor
2SA1909_07	SANKEN	获取价格	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor
2SA1909O	SANKEN	获取价格	暂无描述
2SA1909P	ISC	获取价格	暂无描述

与2SA1908O相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

36

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SA1908O

2SA1908O 技术参数

2SA1908O 数据手册

与2SA1908O相关器件

与2SA1908O相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SA1908O

2SA1908O 技术参数

2SA1908O 数据手册

与2SA1908O相关器件

与2SA1908O相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？