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2SA1909

更新时间： 2024-11-20 06:19:11

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
4页	153K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1909 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1909

DESCRIPTION

·With TO-3PML package

·Complement to type 2SC5101

APPLICATIONS

·Audio and general purpose

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector

Base

Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-140

-6

UNIT

Open base

Open collector

-10

I_B

Base current

-4

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3 4

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