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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 12 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 35 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 1800 ns | 最大开启时间（吨）： | 300 ns |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1870TLEF | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SA1870TLF | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SA1870TR/DE | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SA1870TR/DF | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SA1870TR/E | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SA1870TR/EF | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SA1871 | NEC |
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PNP SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED HIGH-VOLTAGE SWITCHING |
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| 2SA1871_15 | KEXIN |
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PNP Transistors |
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| 2SA1871-A1 | KEXIN |
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PNP Transistors |
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| 2SA1871-A1-HF | KEXIN |
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PNP Transistors |
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