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2SA1738R

更新时间： 2024-01-20 12:44:34

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其他 - ETC		晶体晶体管
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4页	61K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 15V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SC-59

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2SA1738R 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	1500 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1738R 数据手册

Transistor

2SA1762

P_C— Ta

I_C— V_CE

I_C— I_B

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

–1.2

–1.0

– 0.8

– 0.6

– 0.4

– 0.2

–1.2

–1.0

– 0.8

– 0.6

– 0.4

– 0.2

Ta=25˚C

I_B=–10mA

Printed circut board: Copper

foil area of 1cm²or more, and

the board thickness of 1.7mm

for the collector portion.

V_CE=–10V

Ta=25˚C

–9mA

–8mA

–7mA

–6mA

–5mA

–4mA

–3mA

–2mA

–1mA

20 40 60 80 100 120 140 160

–2

–4

–6

–8

–10

–2

–4

–6

–8

–10

(

)

(

)

(

)

Ambient temperature Ta ˚C

Collector to emitter voltage V_CE

Base current I_BmA

V_CE(sat)— I_C

V_BE(sat)— I_C

h_FE— I_C

–10

–100

300

250

200

150

100

I_C/I_B=10

V_CE=–10V

–30

–10

–30

–10

Ta=75˚C

25˚C

–3

–1

–3

–1

Ta=75˚C

25˚C

Ta=–25˚C

–25˚C

75˚C

–25˚C

– 0.3

– 0.1

– 0.3

– 0.1

– 0.03

– 0.01

– 0.03

– 0.01

–1

–3

–10 –30 –100 –300 –1000

–1

–3

–10 –30 –100 –300 –1000

–3

–10 –30 –100 –300 –1000

(

)

(

)

(

)

Collector current I_CmA

f_T— I_E

C_ob— V_CB

I_CBO— Ta

120

10⁴

V_CB=–20V

V_CB=–10V

f=200MHz

Ta=25˚C

I_E=0

f=1MHz

Ta=25˚C

100

10³

10²

100 300 1000

–1

–3

–10

–30

–100

120

180

)

(

)

(

)

(

Ambient temperature Ta ˚C

Emitter current I_EmA

Collector to base voltage V_CB

123 4

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