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2SA1740

更新时间： 2024-02-01 09:20:14

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TYSEMI		晶体晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
3页	439K
描述
High Breakdown Voltage Adoption of MBIT Process Excellent hFE Linearlity.

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2SA1740 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.4
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	70 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1740 数据手册

SSMMDD TTyyppee

Product specification

2SA1740

Features

High Breakdown Voltage

Adoption of MBIT Process

Excellent h^FELinearlity.

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-Base Voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

-400

Unit

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-400

-5

Collector Current

-200

Collector Current (Pulse)

Collector Power Dissipation

Jumction temperature

I^CP

-400

P^{C *}

T^j

1.3

150

Storage temperature Range

* Mounted on ceramic board (250 mm²x 0.8 mm)

T^stg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

I^CBO

Testconditons

Min

Typ

Max

-0.1

Unit

Collector Cut-off Current

V^CB= -300V , I^E= 0

V^EB= -4V , I^C= 0

Emitter Cut-off Current

I^EBO

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

DC Current Gain

V^(BR)CBOI^C= -10uA , I^E= 0

V^(BR)CEO

-400

-5

I^C= -1mA , R^BE=

V^(BR)EBOI^E= -10uA , I^C= 0

h^FE

V^CE= -10V , I^C= -50mA

200

-0.8

-1.0

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Gain-Bandwidth Product

V^CE(sat)I^C= -50mA , I^B= -5mA

V^BE(sat)I^C= -50mA , I^B= -5mA

f^T

V^CE= -30V , I^C= -10mA

MHz

Collector Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

C^ob

C^re

V^CB= -30V , I^E= 0 , f = 1MHz

Turn-On Time

Turn-Off Time

t^on

t^off

0.25

5.0

See Test Circuit.

ìs

1 of 3

4008-318-123

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

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