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2SA1740

更新时间： 2024-02-11 02:59:22

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永而佳 - WINNERJOIN		晶体晶体管放大器
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描述
TRANSISTOR (PNP)

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2SA1740 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.4
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	70 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1740 数据手册

RoHS

2SA1740

SOT-89

1. ^BASE

2SA1740 TRANSISTOR (PNP)

FEATURES

Power dissipation

2. ^COLLECTOR

3. ^EMITTER

P_CM

: 500

mW (Tamb=25℃)

Collector current

I_CM

: -200

Collector-base voltage

_(BR)CBO: -400

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

Ic=-10µA, I_E=0

Ic=-1mA, I_B=0

MIN

-400

-5

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

I_E=-10µA, I_C=0

µA

V_CB=-300V, I_E=0

-0.1

200

-0.8

-1

I_EBO

V_EB=-4V, I_C=0

h_FE(1)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

DC current gain

V_CE=-10V, I_C=-50mA

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_C=-50mA, I_B=-5mA

V_CE=-30V, I_C=-10mA

_CB=-30V, I_E=0, f=1MHz

MHz

µs

C_ob

Collector output capacitance

Turn-ON Time

t_on

0.25

_CC=-150V, I_c=-50mA,

I_B1=-I_B2=-5mA

t_off

Turn-OFF Time

µs

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

Rank

Range

60-120

100-200

Marking

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.

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