2SA1615-ZK

更新时间： 2024-10-31 23:19:59

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日电电子 - NEC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	120K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-252AA

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2SA1615-ZK 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.29
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.01 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	300	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	180 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1615-ZK 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTORS

2SA1615, 1615-Z

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FOR HIGH-SPEED SWITCHING

The 2SA1615 and 1615-Z are available for the large current control in small dimension due to the low saturation

and are ideal for high-efficiency DC/DC converters due to the fast switching speed.

FEATURES

• Large current capacity:

I^C(DC): −10 A, I^C(pulse): −15 A

• High h^FEand low collector saturation voltage:

h^FE= 200 MIN. (@V^CE= −2.0 V, I^C= −0.5 A)

V^CE(sat)≤ −0.25 V (@I^C= −4.0 A, I^B= −0.05 A)

QUALITY GRADES

• Standard

Please refer to “Quality Grades on NEC Semiconductor Devices” (Document No. C11531E) published by NEC

Corporation to know the specification of quality grade on the devices and its recommended applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Base current (DC)

Symbol

Ratings

−30

Unit

V^CBO

V^CEO

−20

−10

V^EBO

−10

I^C(DC)

−15

I^C(pulse)*

I^B(DC)

−0.5

P^T(T^a= 25°C)**

P^T(T^c= 25°C)

T^j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

1.0

°C

150

−55 to +150

T^stg

* PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50%

** Printing board mounted

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16119EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1615-ZK-AZ	RENESAS	获取价格	10mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1615-ZK-AZ	NEC	获取价格	10mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1615-ZK-E1-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,20V V(BR)CEO,10A I(C),TO-252
2SA1615-ZK-T2-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,20V V(BR)CEO,10A I(C),TO-252
2SA1615-ZL	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-252AA
2SA1615-ZL-AZ	RENESAS	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1615-ZL-AZ	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1615-ZL-E1-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,20V V(BR)CEO,10A I(C),TO-252
2SA1615-ZL-E2-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,20V V(BR)CEO,10A I(C),TO-252
2SA1615-ZL-T2-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,20V V(BR)CEO,10A I(C),TO-252

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