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2SA1617

更新时间： 2024-11-01 06:16:47

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Silicon PNP Epitaxial

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2SA1617 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

Silicon PNP Epitaxial

2SA1617

SOT-23

Unit: mm

+0.1

2.9

-0.1

Features

+0.1

0.4

-0.1

3

1

2

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

-0.01

0.1

+0.1

1.9

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

-55

Unit

V

-50

V

-5

V

-100

mA

mW

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P^C

150

T^j

150

Tstg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

V^(BR)CBOIC = -10ìA , IE = 0

V^(BR)CEO

Testconditons

Min

Typ

Max

Unit

V

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cutoff current

-55

-50

-5

V

IC = -1mA , RBE =

V^(BR)EBOIE = -10ìA , IC = 0

V

I^CBO

I^EBO

h^FE

VCB = -30V, IE=0

VEB = -2V, IC=0

-0.5

-0.5

320

-0.2

-0.8

ìA

ìA

Emitter cutoff current

DC current gain

VCE = -12V , IC = -2mA

100

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

V^CE(sat)IC = -10mA , IB = -1mA

V^BEVCE = -12V , IC = -2mA

V

V

hFE Classification

VI

Marking

Rank

B

C

hFE

100 200

160 320

1

www.kexin.com.cn

1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1617B	ETC	获取价格	BJT
2SA1617-B	HITACHI	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1617-B	RENESAS	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1617C	ETC	获取价格	BJT
2SA1617-C	HITACHI	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1617-C	RENESAS	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1617VIB01	RENESAS	获取价格	100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3
2SA1617VIBTL	RENESAS	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPAK-3
2SA1617VIBTR	HITACHI	获取价格	暂无描述
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