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2SA1617

更新时间： 2024-11-01 12:53:35

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TYSEMI		/
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描述
Collector-base voltage VCBO -55 V Emitter-base voltage VEBO -5 V

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2SA1617 数据手册

Product specification

2SA1617

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

0.4

Features

+0.1

-0.1

3

1

2

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

-0.1

1.9

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

-55

Unit

V

-50

V

-5

V

-100

mA

mW

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P^C

150

T^j

150

T^stg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Testconditons

Min

-55

-50

-5

Typ

Max

Unit

V

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cutoff current

V^(BR)CBOI^C= -10ìA , I^E= 0

V(BR)CEO

V

I^C= -1mA , R^BE=

V^(BR)EBOI^E= -10ìA , I^C= 0

V

I^CBO

I^EBO

h^FE

V^CB= -30V, I^E=0

V^EB= -2V, I^C=0

-0.5

-0.5

320

-0.2

-0.8

ìA

ìA

Emitter cutoff current

DC current gain

V^CE= -12V , I^C= -2mA

100

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

V^CE(sat)I^C= -10mA , I^B= -1mA

V^BEV^CE= -12V , I^C= -2mA

V

V

hFE Classification

VI

Marking

Rank

B

C

hFE

100 200

160 320

1

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1617B	ETC	获取价格	BJT
2SA1617-B	HITACHI	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1617-B	RENESAS	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1617C	ETC	获取价格	BJT
2SA1617-C	HITACHI	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1617-C	RENESAS	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1617VIB01	RENESAS	获取价格	100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3
2SA1617VIBTL	RENESAS	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPAK-3
2SA1617VIBTR	HITACHI	获取价格	暂无描述
2SA1617VIBUL	HITACHI	获取价格	暂无描述

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