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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.67 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.25 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1616 | ETC |
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TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAKVAR |
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| 2SA1617 | TYSEMI |
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Collector-base voltage VCBO -55 V Emitter-base voltage VEBO -5 V |
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| 2SA1617 | HITACHI |
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Silicon PNP Epitaxial |
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| 2SA1617 | KEXIN |
获取价格 |
Silicon PNP Epitaxial |
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| 2SA1617B | ETC |
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BJT |
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| 2SA1617-B | HITACHI |
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SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SA1617-B | RENESAS |
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SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SA1617C | ETC |
获取价格 |
BJT |
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| 2SA1617-C | HITACHI |
获取价格 |
SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SA1617-C | RENESAS |
获取价格 |
SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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