5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.67 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 300 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz | VCEsat-Max： | 0.25 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1615-Z-T1L | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC, |
|
| 2SA1615-Z-T2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,20V V(BR)CEO,10A I(C),TO-252 |
|
| 2SA1615-Z-T2K | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC, |
|
| 2SA1615-Z-T2L | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC, |
|
| 2SA1616 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAKVAR |
|
| 2SA1617 | TYSEMI |
获取价格 |
Collector-base voltage VCBO -55 V Emitter-base voltage VEBO -5 V |
|
| 2SA1617 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon PNP Epitaxial |
|
| 2SA1617 | KEXIN |
获取价格 |
Silicon PNP Epitaxial |
|
| 2SA1617B | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
| 2SA1617-B | HITACHI |
获取价格 |
SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
