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2SA1576UBQ

更新时间： 2024-11-09 21:08:27
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 95K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, UMT3F, 3 PIN

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2SA1576UBQ 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SC-85
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.59最大集电极电流 (IC)：0.15 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：140 MHz
Base Number Matches：1

2SA1576UBQ 数据手册

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General purpose small signal amplifier  
(50V, 0.15A)  
2SA1576UB  
Applications  
Dimensions (Unit : mm)  
General purpose small signal amplifier.  
UMT3F  
2.0  
0.9  
0.32  
(3)  
Features  
1) Excellent hFE linearity.  
2) Complements the 2SC4081UB.  
(1)  
(2)  
0.13  
0.65 0.65  
1.3  
Structure  
PNP silicon epitaxial planar transistor.  
Each lead has same dimensions  
(1) Base  
(2) Emitter  
(3) Collector  
Abbreviated symbol : F  
∗ = Denotes hFE  
Absolute maximum ratings (Ta=25C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Symbol  
Limits  
−60  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
−50  
V
−6  
V
I
C
−150  
−200  
200  
mA  
mA  
mW  
˚C  
Collector current  
∗1  
∗2  
I
CP  
Power dissipation  
P
D
Junction temperature  
Range of storage temperature  
Tj  
150  
Tstg  
−
55 to +150  
˚C  
∗1 Pw=1ms Single pulse  
∗2 Each terminal mounted on a recommended land  
Electrical characteristics (Ta=25C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
−
Max.  
−
Unit  
Conditions  
Collector-emitter breakdown voltage  
Collector-base breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCEO  
BVCBO  
BVEBO  
−50  
−60  
−6  
−
V
V
I
I
I
C
=
=
−1mA  
−50μA  
−50μA  
−
−
C
−
−
V
E=  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−100  
−100  
−0.5  
390  
−
nA  
nA  
V
V
CB  
EB  
=
−60V  
−6V  
Emitter cutoff current  
I
−
−
V
=
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
−
−
I
C/I  
B=  
−50mA/−5mA  
−6V, I −1mA  
2mA, f  
0A, f 1MHz  
h
120  
−
−
−
V
V
V
CE  
CE  
CB  
=
=
=
C=  
Transition frequency  
f
T
140  
4.0  
MHz  
pF  
−12V, I  
−12V, I  
E
=
=100MHz  
Output capacitance  
Cob  
−
5.0  
E
=
=
www.rohm.com  
2010.09 - Rev.D  
1/2  
c
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
123

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与2SA1576UBQ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1576UB-Q ROHM

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 		150mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, UMT3F, 3 PIN
2SA1576UBR ROHM

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 		暂无描述
2SA1576UB-R ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, UMT3F,
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