2SA1531H

更新时间： 2024-11-24 13:04:07

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松下 - PANASONIC		/
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3页	53K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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2SA1531H 技术参数

生命周期：	End Of Life	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	35 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	180
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1531H 数据手册

Transistor

2SA1531, 2SA1531A

Silicon PNP epitaxial planer type

For low-frequency and low-noise amplification

Complementary to 2SC3929 and 2SC3929A

Unit: mm

Features

Low noise voltage NV.

■

2.1±0.1

●

0.425

1.25±0.1

0.425

●

High foward current transfer ratio h_FE

●

S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing and the magazine

packing.

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

2SA1531

Symbol

Ratings

–35

Unit

Collector to

V_CBO

base voltage

Collector to

2SA1531A

2SA1531

–55

–35

V_CEO

0.2±0.1

2SA1531A

emitter voltage

–55

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

V_EBO

I_CP

I_C

–5

˚C

–100

–50

1:Base

2:Emitter

3:Collector

EIAJ:SC–70

S–Mini Type Package

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

150

T_j

150

(2SA1531)

Marking symbol : F

(2SA1531A)

T_stg

–55 ~ +150

˚C

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

–100

–1

Unit

V_CB= –10V, I_E= 0

Collector cutoff current

I_CEO

V_CE= –10V, I_B= 0

µA

Collector to base

voltage

2SA1531

2SA1531A

–35

–55

–35

–55

–5

V_CBO

I_C= –10µA, I_E= 0

Collector to emitter 2SA1531

V_CEO

V_EBO

I_C= –2mA, I_B= 0

voltage

2SA1531A

Emitter to base voltage

I_E= –10µA, I_C= 0

Forward current transfer ratio

h_FE

V_CE= –5V, I_C= –2mA

180

700

– 0.6

–1.0

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= –100mA, I_B= –10mA^*2

V_CE= –1V, I_C= –100mA^*2

V_CB= –10V, I_E= 2mA, f = 200MHz

V_CE= –10V, I_C= –1mA, G_V= 80dB

R_g= 100kΩ, Function = FLAT

Base to emitter voltage

Transition frequency

V_BE

f_T

– 0.7

MHz

Noise voltage

150

^*2Pulse measurement

Rank classification

FE1

Rank

hFE

180 ~ 360

260 ~ 520

360 ~ 700

2SA1531

Marking

Symbol

2SA1531A

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1531R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 35V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SC-70
2SA1531S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 35V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SC-70
2SA1531T	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 35V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SC-70
2SA1531TX	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1532	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer type
2SA1532	KEXIN	获取价格	Silicon PNP Epitaxial Planar Type
2SA1532	TYSEMI	获取价格	High transition frequency fT.Collector-base voltage VCBO -30 V
2SA1532_15	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SA1532B	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| SC-70
2SA1532-B	KEXIN	获取价格	PNP Transistors

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