5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1510-TB | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 |
|
| 2SA1511 | SANYO |
获取价格 |
PNP / NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS |
|
| 2SA1512 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon PNP epitaxial planer type |
|
| 2SA1512Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SPAK |
|
| 2SA1512R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SPAK |
|
| 2SA1513 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA1513 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA1513 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA1514K | KEXIN |
获取价格 |
High-voltage Amplifier Transistor |
|
| 2SA1514K | ROHM |
获取价格 |
High-voltage Amplifier Transistor (−120V, −50mA) |
|
RF5110数据手册详解：3V GSM射频功率放大器的深度分析
REF1004-1.2手册详解：引脚信息、产品描述、参数分析
晶闸管的静态特性与伏安特性详解
贴片电容的工作原理与参数识别
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
