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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.92 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1510-TB | ONSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 |
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| 2SA1511 | SANYO |
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PNP / NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS |
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| 2SA1512 | PANASONIC |
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Silicon PNP epitaxial planer type |
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| 2SA1512Q | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SPAK |
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| 2SA1512R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SPAK |
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| 2SA1513 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1513 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1513 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA1514K | KEXIN |
获取价格 |
High-voltage Amplifier Transistor |
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| 2SA1514K | ROHM |
获取价格 |
High-voltage Amplifier Transistor (−120V, −50mA) |
|
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