5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.25 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 390 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 140 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1514KT146R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-346 |
|
| 2SA1514KT146S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-346 |
|
| 2SA1514KT146SE | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2SA1514KT147/S | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2SA1514KT147/SE | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2SA1514KT147E | ROHM |
获取价格 |
50mA, 120V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| 2SA1514KT147R | ROHM |
获取价格 |
50mA, 120V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| 2SA1514KT147S | ROHM |
获取价格 |
50mA, 120V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| 2SA1515 | ROHM |
获取价格 |
Medium Power Transistor |
|
| 2SA1515 | SECOS |
获取价格 |
PNP Plastic Encapsulated Transistor |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
