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2SA1515STP/PR

更新时间: 2024-02-22 17:02:38
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 125K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

2SA1515STP/PR 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SC-72包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.14最大集电极电流 (IC):1 A
基于收集器的最大容量:30 pF集电极-发射极最大电压:32 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):180
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN SILVER COPPER端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):150 MHzVCEsat-Max:0.5 V
Base Number Matches:1

2SA1515STP/PR 数据手册

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Transistors  
Medium Power Transistor  
(*32V, *1A)  
2SB1132 / 2SA1515S / 2SB1237  
FFeatures  
FExternal dimensions (Units: mm)  
1) Low VCE(sat).  
VCE(sat) = *0.2V (Typ.)  
(IC / IB = –500mA / –50mA)  
2) Compliments 2SD1664 /  
2SD1858.  
FStructure  
Epitaxial planar type  
PNP silicon transistor  
(96-120-B12)  
207  

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