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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SA1512
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2SA1512

更新时间： 2024-11-01 22:52:35
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
2页 40K
描述
Silicon PNP epitaxial planer type

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2SA1512 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

2SA1512 数据手册

 浏览型号2SA1512的Datasheet PDF文件第2页 
Transistor  
2SA1512  
Silicon PNP epitaxial planer type  
For low-frequency output amplification  
Complementary to 2SC1788  
Unit: mm  
4.0±0.2  
Features  
■
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
.
●
●
●
Optimum for low-voltage operation and for converters.  
Allowing supply with the radial taping.  
Optimum for high-density mounting.  
marking  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
1
2
3
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
–25  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–20  
V
1.27 1.27  
–7  
V
2.54±0.15  
–1  
A
1:Emitter  
2:Collector  
3:Base  
IC  
– 0.5  
300  
A
EIAJ:SC–72  
New S Type Package  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
mW  
˚C  
˚C  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
–100  
–1  
Unit  
nA  
µA  
V
VCB = –25V, IE = 0  
VCE = –20V, IB = 0  
C = –10µA, IE = 0  
Collector cutoff current  
ICEO  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
I
–25  
–20  
–7  
IC = –1mA, IB = 0  
V
IE = –10µA, IC = 0  
V
*1  
hFE1  
hFE2  
VCE = –2V, IC = –0.5A*2  
VCE = –2V, IC = –1A*2  
IC = –500mA, IB = –50mA*2  
IC = –500mA, IB = –50mA*2  
90  
220  
Forward current transfer ratio  
25  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
– 0.4  
–1.2  
V
V
Transition frequency  
fT  
VCB = –10V, IE = 50mA, f = 200MHz  
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz  
150  
15  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
25  
*2 Pulse measurement  
*1  
h
Rank classification  
FE1  
Rank  
hFE1  
Q
R
90 ~ 155  
130 ~ 220  
1
12

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2SA1512 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SB1030A PANASONIC

功能相似

 Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
2SB0644 PANASONIC

功能相似

 For low-frequency general amplification
2SB0643 PANASONIC

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 For low-frequency general amplification

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