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2SA1514KE

更新时间: 2024-01-26 12:09:38
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 179K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-59

2SA1514KE 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.63
最大集电极电流 (IC):0.05 A集电极-发射极最大电压:120 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):270
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.2 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:TIN SILVER COPPER端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SA1514KE 数据手册

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