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2SA1493P

更新时间： 2024-11-18 21:17:59

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急速微 - ALLEGRO		/
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1页	23K
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Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, MT200, 3 PIN

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2SA1493P 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.39
最大集电极电流 (IC)：	15 A	集电极-发射极最大电压：	200 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1493P 数据手册

2 S A1 4 9 3

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC3857)

Application : Audio and General Purpose

External Dimensions MT-200

■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

■Electrical Characteristics

(Ta=25°C)

Symbol

V^CBO

VCEO

VEBO

2SA1493

Symbol

2SA1493

Unit

Conditions

Unit

µA

±0.2

6.0

±0.3

36.4

–200

I^CBO

–100max

–200min

50min

V^CB=–200V

±0.2

24.4

2.1

±0.1

2-ø3.2

IEBO

–200

V^EB=–6V

V(BR)CEO

hFE

–6

–15

I^C=–50mA

V^CE=–4V, IC=–5A

I^C=–10A, IB=–1A

V^CE=–12V, IE=0.5A

V^CB=–10V, f=1MHz

VCE(sat)

– 3.0max

20typ

MHz

–5

150(Tc=25°C)

150

°C

COB

400typ

+0.2

-0.1

0.65

+0.2

-0.1

1.05

Tstg

–55 to +150

hFE Rank O(50 100), P(70 140), Y(90 180)

+0.3

-0.1

3.0

±0.1

5.45

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

Weight : Approx 18.4g

a. Type No.

b. Lot No.

R^L

I^C

VBB1

V^BB2

(V)

I^B1

I^B2

ton

tstg

VCC

(V)

(Ω)

(A)

(V)

(mA)

(µs)

–5

–10

–500

500

0.3typ

0.9typ

0.2typ

–60

–

I^CV^CECharacteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

I^CV^BETemperature Characteristics (Typical)

(VCE=–4V)

–15

–10

–5

–3

–10

–5

–2

–1

IC=–15A

–10A

–5A

–1

–2

–3

–4

–1

–2

–3

–4

–1

–2

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

Base Current I^B(A)

Base-Emittor Voltage V^BE(V)

–

j-a t Characteristics

hFE IC Characteristics (Typical)

hFE IC Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=–4V)

200

300

125˚C

25˚C

Typ

100

–30˚C

100

0.5

–0.02

0.1

100

Time t(ms)

1000 2000

–0.1

–0.5 –1

–5 –10 –15

–0.1

–0.5 –1

Collector Current I^C(A)

–5 –10 –15

Collector Current I^C(A)

–

f^TIE Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

Pc Ta Derating

(VCE=–12V)

–50

160

10ms

Typ

120

–10

–5

–1

–0.5

Without Heatsink

Natural Cooling

Without Heatsink

–0.1

0.02

–2

–10

–100

–300

0.1

100

125

150

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

Ambient Temperature Ta(˚C)

Emitter Current IE(A)

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