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2SA1495PY

更新时间： 2024-11-21 14:46:19

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	178K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, I-TYPE PACKAGE-4

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2SA1495PY 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	15 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1495PY 数据手册

Power Transistors

2SA1495

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

7.0±0.3

3.0±0.2

3.5±0.2

For high-speed switching

Features

High foward current transfer ratio h_FE

■

1.1±0.1

0.85±0.1

0.4±0.1

●

0.75±0.1

●

High-speed switching

●

High collector to base voltage V_CBO

2.3±0.2

●

I type package enabling direct soldering of the radiating fin to

the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.

4.6±0.4

1:Base

2:Collector

3:Emitter

I Type Package

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

–400

–7

Unit

Unit: mm

7.0±0.3

3.5±0.2

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

2.0±0.2

3.0±0.2

0 to 0.15

–1.2

I_C

– 0.6

2.5

Collector power T_C=25°C

0.75±0.1

0.5 max.

0.9±0.1

1.1±0.1

P_C

0 to 0.15

dissipation

Ta=25°C

1.3

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

1:Base

2:Collector

T_stg

–55 to +150

2.3±0.2

3:Emitter

4.6±0.4

I Type Package (Y)

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

–100

Unit

µA

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

V_CB= –400V, I_E= 0

I_EBO

V_EB= –7V, I_C= 0

Collector to emitter voltage

V_CEO

I_C= –10mA, I_B= 0

V_CE= –5V, I_C= –100mA

–400

h_FE1

160

Forward current transfer ratio

h_FE2

_CE= –5V, I_C= –300mA

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= –300mA, I_B= –60mA

V_CE= –10V, I_C= –100mA, f = 1MHz

I_C= –300mA,

–1.0

–1.5

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

MHz

µs

1.0

3.5

1.0

I_B1= –60mA, I_B2= 60mA,

V_CC= –100V

µs

^*h_FE1Rank classification

Rank

h_FE1

30 to 60

50 to 100

80 to 160

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1495Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 400V V(BR)CEO \| 600MA I(C) \| TO-221VAR
2SA1495QY	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy
2SA1495TX	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy
2SA1495Y	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy
2SA1496	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23
2SA1497	SANYO	获取价格	PNP/ NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS
2SA1498	ETC	获取价格
2SA1498H	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy
2SA1498O	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 400V V(BR)CEO \| 600MA I(C) \| TO-221VAR
2SA1498P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 400V V(BR)CEO \| 600MA I(C) \| TO-221VAR

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