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2SA1501Q

更新时间： 2024-11-11 20:14:59
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 179K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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2SA1501Q 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.84Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：15 MHz
Base Number Matches：1

2SA1501Q 数据手册

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Power Transistors  
2SA1501  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For power switching  
Unit: mm  
10.0±0.2  
5.5±0.2  
4.2±0.2  
Features  
High-speed switching  
■
2.7±0.2  
●
●
High collector to base voltage VCBO  
φ3.1±0.1  
●
Wide area of safe operation (ASO)  
●
Satisfactory linearity of foward current transfer ratihFE  
●
Full-pack package which can be installed to the hat sink wth  
one screw  
1.3±0.2  
1.4±0.1  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C
+0.2  
–0.1  
■
0.5  
0.8±0.1  
Parameter  
Symbol  
V
BO  
ICP  
Ratigs  
Unt  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–400  
2.54±0.25  
–400  
V
5.08±0.5  
1
2
3
–7  
V
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
8  
IC  
5  
40  
A
TO–220 Full Pack Package(a)  
Collector powr TC25°C  
PC  
W
dissipation  
a=25C  
0  
Junion terature  
Storage ature  
j  
50  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Chaacteriscs (T =25˚C)  
■
C
mete
Symbol  
ICBO  
Conditins  
min  
typ  
max  
–100  
–100  
Unit  
µA  
µA  
V
Crent  
Emittnt  
VCB = –400V, IE = 0  
EB = –7V, IC = 0  
IEBO  
V
Collector tter voltage  
VCEO  
IC = –1mA, IB = 0  
VCE = –5V, IC = – 0.5A  
VCE = –5V, IC = –A  
IC = –2A, IB = – 0.4A  
IC = –2A, IB = – 0.4A  
VCE = –10V, IC = – 0.5A, f = 1MHz  
IC = –2A,  
–400  
20  
*
hFE1  
100  
Forward current transfer ratio  
hFE2  
8
Collector to emitter aturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
–1.0  
–1.5  
V
V
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
15  
MHz  
µs  
1.0  
2.5  
1.0  
IB1 = – 0.4A, IB2 = 0.4A,  
VCC = –100V  
µs  
µs  
*hFE1 Rank classification  
Rank  
hFE1  
Q
P
20 to 60  
50 to 100  
1
1234

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