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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SA1499
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2SA1499

更新时间： 2024-11-10 21:55:39
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
3页 62K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type

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2SA1499 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220F
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：15 MHz

2SA1499 数据手册

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Power Transistors  
2SA1499  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For high-speed switching  
Unit: mm  
10.0±0.2  
5.5±0.2  
4.2±0.2  
Features  
High foward current transfer ratio hFE  
■
2.7±0.2  
●
●
High-speed switching  
φ3.1±0.1  
●
High collector to base voltage VCBO  
●
Full-pack package which can be installed to the heat sink with  
one screw.  
1.3±0.2  
1.4±0.1  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
+0.2  
–0.1  
0.5  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
–400  
–400  
–7  
Unit  
V
0.8±0.1  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
2.54±0.25  
V
V
5.08±0.5  
1
2
3
–1.2  
A
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
IC  
– 0.6  
25  
A
Collector power TC=25°C  
TO–220 Full Pack Package(a)  
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
2
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
–100  
–100  
Unit  
µA  
µA  
V
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
VCB = –400V, IE = 0  
IEBO  
VEB = –7V, IC = 0  
Collector to emitter voltage  
VCEO  
IC = –10mA, IB = 0  
VCE = –5V, IC = –100mA  
–400  
30  
*
hFE1  
160  
Forward current transfer ratio  
hFE2  
V
CE = –5V, IC = –300mA  
10  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
IC = –300mA, IB = –60mA  
IC = –300mA, IB = –60mA  
VCE = –10V, IC = –100mA, f = 1MHz  
IC = –300mA,  
–1.0  
–1.2  
V
V
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
15  
MHz  
µs  
1.0  
3.5  
1.0  
IB1 = –60mA, IB2 = 60mA,  
VCC = –100V  
µs  
µs  
*hFE1 Rank classification  
Rank  
hFE1  
Q
P
O
30 to 60  
50 to 100  
80 to 160  
1
123

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