2SA1494

更新时间： 2024-02-25 03:13:27

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三垦 - SANKEN		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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描述
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose)

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2SA1494 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
Base Number Matches：	1

2SA1494 数据手册

2 S A1 4 9 4

Absolute maximum ratings

Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC3858)

Application : Audio and General Purpose

External Dimensions MT-200

■Electrical Characteristics

■

(Ta=25°C)

Symbol

V^CBO

VCEO

VEBO

Symbol

I^CBO

Conditions

2SA1494

Unit

µA

2SA1494

Unit

±0.2

6.0

±0.3

36.4

V^CB=–200V

–100max

–200min

50min

–200

±0.2

24.4

2.1

IEBO

V^EB=–6V

–200

±0.1

2-ø3.2

V(BR)CEO

hFE

I^C=–50mA

–6

V^CE=–4V, IC=–8A

I^C=–10A, IB=–1A

V^CE=–12V, IE=1A

V^CB=–10V, f=1MHz

–17

VCE(sat)

–2.5max

20typ

MHz

–5

200(Tc=25°C)

150

°C

COB

500typ

+0.2

-0.1

0.65

Tstg

–55 +150

+0.2

-0.1

hFE Rank Y(50 100), P(70 140), G(90 180)

1.05

+0.3

-0.1

3.0

±0.1

5.45

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

VCC

(V)

VBB1

V^BB2

(V)

I^B1

I^B2

tstg

Weight : Approx 18.4g

a. Type No.

b. Lot No.

R^L

ton

(V)

(A)

(µs)

(Ω)

(A)

(µs)

–40

–10

–1

0.6typ

0.9typ

0.2typ

–

IC VBE Temperature Characteristics (Typical)

I^CV^CECharacteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

(VCE=–4V)

–17

–15

–3

–15

–10

–5

–2

–10

–5

–1

–50mA

IC=–15A

–10A

I^B=–20mA

–5A

–1

–2

–3

–4

–1

–2

–3

–1

–2

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Base Current I^B(A)

Base-Emittor Voltage V^BE(V)

–

^j-at Characteristics

hFE IC Characteristics (Typical)

hFE IC Temperature Characteristics (Typical)

(V^CE=–4V)

(VCE=–4V)

300

200

125˚C

25˚C

Typ

100

–30˚C

0.5

–0.02

0.1

–0.1

–0.5 –1

–5 –10 –17

–0.02

–0.1

–0.5 –1

–5 –10 –17

100

Time t(ms)

1000 2000

Collector Current I^C(A)

Collector Current IC(A)

–

fT IE Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

Pc Ta Derating

(VCE=–12V)

–50

200

160

120

10ms

Typ

–10

–5

–1

–0.5

Without Heatsink

Natural Cooling

Without Heatsink

0.02

–0.1

–2

–10

–100

–300

0.1

100

125

150

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

Ambient Temperature Ta(˚C)

Emitter Current IE(A)

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2SA1494 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE59	NTE	类似代替	Silicon Complementary Transistors High Power Audio Output
2SA1216	SANKEN	类似代替	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose)
2SA1695	SANKEN	功能相似	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1494_07	SANKEN	获取价格	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor
2SA1494G	SANKEN	获取价格	暂无描述
2SA1494P	SANKEN	获取价格	Power Bipolar Transistor, 17A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SA1494Y	ISC	获取价格	Transistor
2SA1494Y	SANKEN	获取价格	暂无描述
2SA1495	ETC	获取价格
2SA1495H	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy
2SA1495O	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 400V V(BR)CEO \| 600MA I(C) \| TO-221VAR
2SA1495OY	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy
2SA1495P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 400V V(BR)CEO \| 600MA I(C) \| TO-221VAR

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