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2SA1494G

更新时间： 2024-11-18 13:04:07
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
1页 27K
描述
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2SA1494G 数据手册

  
2 S A1 4 9 4  
Absolute maximum ratings  
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC3858)  
Application : Audio and General Purpose  
External Dimensions MT-200  
■Electrical Characteristics  
■
(Ta=25°C)  
(Ta=25°C)  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
2SA1494  
Unit  
µA  
µA  
V
2SA1494  
Unit  
±0.2  
6.0  
±0.3  
36.4  
VCB=–200V  
–100max  
–100max  
–200min  
50min  
–200  
V
±0.2  
24.4  
2.1  
IEBO  
VEB=–6V  
–200  
V
±0.1  
2-ø3.2  
9
V(BR)CEO  
hFE  
IC=–50mA  
–6  
V
VCE=–4V, IC=–8A  
IC=–10A, IB=–1A  
VCE=–12V, IE=1A  
VCB=–10V, f=1MHz  
–17  
A
a
b
IB  
VCE(sat)  
fT  
–2.5max  
20typ  
V
MHz  
pF  
–5  
200(Tc=25°C)  
150  
A
PC  
W
°C  
°C  
2
Tj  
COB  
500typ  
3
+0.2  
-0.1  
0.65  
Tstg  
to  
–55 +150  
to  
to  
to  
+0.2  
-0.1  
hFE Rank Y(50 100), P(70 140), G(90 180)  
1.05  
+0.3  
-0.1  
3.0  
±0.1  
±0.1  
5.45  
5.45  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
B
C
E
VCC  
(V)  
VBB1  
VBB2  
(V)  
IB1  
IB2  
tstg  
Weight : Approx 18.4g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
RL  
IC  
ton  
tf  
(V)  
(A)  
(A)  
(µs)  
(Ω)  
(A)  
(µs)  
(µs)  
–40  
4
–10  
–10  
5
–1  
1
0.6typ  
0.9typ  
0.2typ  
–
–
–
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
(VCE=–4V)  
–17  
–17  
–15  
–3  
–15  
–10  
–5  
–2  
–10  
–5  
0
–1  
–50mA  
IC=–15A  
–10A  
IB=–20mA  
–5A  
0
0
0
–1  
–2  
–3  
–4  
0
–1  
–2  
–3  
0
–1  
–2  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(A)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=–4V)  
(VCE=–4V)  
300  
200  
2
1
125˚C  
25˚C  
Typ  
100  
100  
50  
–30˚C  
0.5  
50  
10  
20  
–0.02  
0.1  
–0.1  
–0.5 –1  
–5 –10 –17  
–0.02  
–0.1  
–0.5 –1  
–5 –10 –17  
1
10  
100  
Time t(ms)  
1000 2000  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=–12V)  
–50  
200  
160  
120  
80  
30  
20  
10ms  
Typ  
–10  
–5  
DC  
–1  
10  
–0.5  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
40  
Without Heatsink  
5
0
0
0.02  
–0.1  
–2  
–10  
–100  
–300  
0.1  
1
10  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
Emitter Current IE(A)  
22  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1494P SANKEN

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 		Power Bipolar Transistor, 17A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SA1494Y ISC

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 		Transistor
2SA1494Y SANKEN

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 		暂无描述
2SA1495 ETC

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2SA1495H PANASONIC

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 		Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy
2SA1495O ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-221VAR
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