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2SA1298-O-TP

更新时间： 2024-09-17 14:46:19

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	343K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PACKAGE-3

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2SA1298-O-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.44
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1298-O-TP 数据手册

M C C

2SA1298-O

2SA1298-Y

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

Power switching application

Low frequency power amplifier application

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

PNP General

Purpose Amplifier

Maximum Ratings

SOT-23

Symbol

Rating

Unit

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

-30

-35

-5.0

-0.8

Collector Current, Continuous

P_D

T_J

T_STG

Power Dissipation

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

0.2

-55 to +150

^OC

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Type

Max

Units

V_(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage*

(I_C=-10mAdc, I_B=0)

-30

Vdc

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=-1mAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=-1mAdc, I_C=0)

Collector cut-off Current

(V_CB=-30Vdc, I_E=0

Emitter cut-off Current

(V_EB=-5Vdc, I_C=0

-35

Vdc

DIMENSIONS

-5.0

INCHES

MIN

.110

.083

.047

.035

.070

.018

-0.1

uAdc

DIM

MAX

.120

.104

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

NOTE

c^BO

I_EBO

h_FE

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

DC Current Gain

(I_C=-100mAdc, V_CE=-1.0Vdc)

(I_C=-800mAdc, V_CE=-1.0Vdc)

100

320

.0005

.035

.003

.015

.085

.37

V_CE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-500mAdc, I_B=-20mAdc)

-0.4

Vdc

Suggested Solder

Pad Layout

V_BE

f_T

Base-Emitter Voltage

(I_C=-10mAdc, V_CE=-1Vdc)

-0.5

-0.8

Vdc

.031

.800

Transition Frequency

(I_C=-10mAdc, V_CE=-5Vdc)

250

MHz

.035

.900

Collector output capacitance

(I_E=0, V_CB=-10Vdc,f=1MHz)

.079

2.000

inches

CLASSIFICATION OF hFE(1)

160-320

100-200

ank

.037

.950

ange

.037

.950

MARKING

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: B

2013/01/01

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1298-O-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SA1298TE85L	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 800 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma
2SA1298-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SA1298Y	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 25V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| SC-59
2SA1298-Y	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 800 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, 2-3F1A, S-MINI, SC-59,
2SA1298-Y	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel , 120K/Ctn;
2SA1298-Y(LF	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
2SA1298-Y(T5L,PP,F	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1298-Y(T5LHMD,F	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1298-Y(T5LKEHIF	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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