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2SA1300

更新时间： 2024-11-24 07:29:39
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 396K
描述
PNP Plastic Encapsulated Transistor

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2SA1300 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.39最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：10 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：140JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：140 MHz
Base Number Matches：1

2SA1300 数据手册

 浏览型号2SA1300的Datasheet PDF文件第2页 
2SA1300  
-2 A, -20 V  
PNP Plastic Encapsulated Transistor  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
TO-92  
FEATURES  
High DC Current gain and excellent hFE linearity  
Low Saturation Voltage  
G
H
Emitter  
Collector  
Base  
J
CLASSIFICATION OF hFE(1)  
A
D
Millimeter  
Product-Rank  
2SA1300-Y 2SA1300-GR 2SA1300-BL  
REF.  
B
Min.  
4.40  
4.30  
12.70  
3.30  
0.36  
0.36  
Max.  
4.70  
4.70  
-
3.81  
0.56  
0.51  
A
B
C
D
E
F
G
H
J
Range  
140~280 200~400 300~600  
K
E
C
F
1.27 TYP.  
1.10  
2.42  
0.36  
-
2.66  
0.76  
K
Collector  
  
  
Base  
  
Emitter  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Collector to Base Voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
-20  
Unit  
V
V
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
-10  
-6  
V
Collector Current - Continuous  
Collector Power Dissipation  
Junction, Storage Temperature  
-2  
A
PC  
750  
mW  
°C  
TJ, TSTG  
150, -55~150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Min  
-20  
Typ  
-
Max  
-
-
Unit  
V
Test condition  
IC= -1mA, IE=0  
Collector to Base Breakdown Voltage  
Collector to Emitter Breakdown Voltage  
Emitter to Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
-10  
-
V
IC= -10mA, IB=0  
IE= -0.1mA, IC=0  
VCB= -20V, IE=0  
VEB= -6V, IC=0  
-6  
-
-
V
-
-
-0.1  
-0.1  
600  
-0.82  
-1.5  
-
μA  
μA  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
-
-
-
DC Current Gain  
hFE  
140  
VCE= -1V, IC= -0.5A  
IC= -2A, IB= -0.1A  
VCE= -1V, IC= -2A  
Collector to Emitter Saturation Voltage  
Base to Emitter Voltage  
VCE(sat)  
VBE  
-
-
-
-
-
V
V
-
Transition Frequency  
fT  
140  
50  
MHz VCE= -1V, IC= -0.5A, f=30MHz  
pF VCB= -10V, IE=0, f=1MHz  
Collector Output Capacitance  
Cob  
-
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
19-Jan-2011 Rev. A  
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12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1300_07 TOSHIBA

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2SA1300_11 UTC

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 		SILICON PNP EPITAXAL TYPE
2SA1300BL MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, PL
2SA1300-BL TOSHIBA

获取价格

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2SA1300BL(SOT-89) UTC

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 		Transistor
2SA1300-BP MCC

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2SA1300G-BL-AB3-R UTC

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2SA1300G-GR-T92-R UTC

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