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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.69 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A | 集电极-发射极最大电压： | 25 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 0.2 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz | VCEsat-Max： | 0.4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1298-Y(T5L,PP,F | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA1298-Y(T5LHMD,F | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA1298-Y(T5LKEHIF | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA1298-Y(T5LMAA,F | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA1298-Y(T5LPAS,F | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SA1298-Y(TE85L) | TOSHIBA |
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2SA1298-Y(TE85L) |
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| 2SA1298-Y(TE85L,F) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 800 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, S-MINI, SC-59, TO-236MO |
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| 2SA1298-Y,LF | TOSHIBA |
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TRANS PNP 25V 0.8A S-MINI |
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| 2SA1298YTE85L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 800 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma |
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| 2SA1298YTE85R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 800 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma |
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