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2SA1298-Y-TP

更新时间： 2024-09-25 15:25:07
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 343K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PACKAGE-3

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2SA1298-Y-TP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.31
最大集电极电流 (IC)：0.8 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：160
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

2SA1298-Y-TP 数据手册

 浏览型号2SA1298-Y-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA1298-Y-TP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
2SA1298-O  
2SA1298-Y  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
·
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
Power switching application  
·
·
·
·
Low frequency power amplifier application  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
PNP General  
Purpose Amplifier  
Maximum Ratings  
SOT-23  
Symbol  
Rating  
Rating  
Unit  
V
V
V
A
A
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-30  
D
-35  
-5.0  
-0.8  
C
Collector Current, Continuous  
B
C
PD  
TJ  
TSTG  
Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
0.2  
-55 to +150  
-55 to +150  
W
OC  
OC  
E
B
F
E
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Type  
Max  
Units  
V(BR)CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(IC=-10mAdc, IB=0)  
-30  
Vdc  
H
G
J
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=-1mAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=-1mAdc, IC=0)  
Collector cut-off Current  
(VCB=-30Vdc, IE=0  
Emitter cut-off Current  
(VEB=-5Vdc, IC=0  
-35  
Vdc  
Vdc  
K
DIMENSIONS  
MM  
-5.0  
INCHES  
MIN  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
I
-0.1  
-0.1  
uAdc  
uAdc  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
.120  
.104  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
NOTE  
cBO  
IEBO  
hFE  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
DC Current Gain  
(IC=-100mAdc, VCE=-1.0Vdc)  
(IC=-800mAdc, VCE=-1.0Vdc)  
F
100  
40  
320  
G
H
J
.0005  
.035  
.003  
.015  
.085  
.37  
VCE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-500mAdc, IB=-20mAdc)  
K
-0.4  
Vdc  
Suggested Solder  
Pad Layout  
VBE  
fT  
Base-Emitter Voltage  
(IC=-10mAdc, VCE=-1Vdc)  
-0.5  
-0.8  
Vdc  
.031  
.800  
Transition Frequency  
(IC=-10mAdc, VCE=-5Vdc)  
250  
MHz  
.035  
.900  
C
ob  
Collector output capacitance  
(IE=0, VCB=-10Vdc,f=1MHz)  
13  
pF  
.079  
2.000  
inches  
mm  
CLASSIFICATION OF hFE(1)  
Y
160-320  
IY  
R
O
100-200  
IO  
ank  
.037  
.950  
R
ange  
.037  
.950  
MARKING  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: B  
2013/01/01  
123

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2SA1298-Y-TP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SA1298-Y TOSHIBA

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 TRANSISTOR 800 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, 2-3F1A, S-MINI, SC-59,

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1298-Y-TP-HF MCC

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2SA1299-11-E MITSUBISHI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1299-11-F MITSUBISHI

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 		TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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