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2SA1298-Y(TE85L,F)

更新时间： 2024-11-24 14:47:07

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	184K
描述
TRANSISTOR 800 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, S-MINI, SC-59, TO-236MOD, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2SA1298-Y(TE85L,F) 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	1.69
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	0.2 W
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
VCEsat-Max：	0.4 V	Base Number Matches：	1

2SA1298-Y(TE85L,F) 数据手册

浏览型号2SA1298-Y(TE85L,F)的Datasheet PDF文件第2页

2SA1298

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial (PCT process)

2SA1298

Low Frequency Power Amplifier Application

Unit: mm

Power Switching Applications

•

High DC current gain: h

= 100 to 320

Low saturation voltage: V

= −0.4 V (max)

CE (sat)

(I = −500 mA, I = −20 mA)

Suitable for driver stage of small motor

Complementary to 2SC3265

Small package

•

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

−30

−25

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

−5

−800

−160

200

°C

JEDEC

JEITA

TO-236MOD

Base current

SC-59

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

TOSHIBA

2-3F1A

150

Weight: 0.012 g (typ.)

stg

−55 to 150

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Marking

Start of commercial production

1982-10

2014-03-01

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1298-Y,LF	TOSHIBA	获取价格	TRANS PNP 25V 0.8A S-MINI
2SA1298YTE85L	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 800 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma
2SA1298YTE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 800 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma
2SA1298-Y-TP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
2SA1298-Y-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SA1299-11-E	MITSUBISHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1299-11-F	MITSUBISHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1299-T11-E	MITSUBISHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1299-T11-F	MITSUBISHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1299-T11-G	MITSUBISHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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