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2SA1202O

更新时间: 2024-01-27 15:55:44
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其他 - ETC 晶体晶体管
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2页 102K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 400MA I(C) | SOT-89

2SA1202O 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SC-62包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.87外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.4 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):120
JESD-30 代码:R-PSSO-F3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:1 W
最大功率耗散 (Abs):0.5 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):120 MHz
VCEsat-Max:0.4 V

2SA1202O 数据手册

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