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2SA1016K

更新时间: 2024-11-16 22:35:55
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三洋 - SANYO 晶体放大器晶体管高压
页数 文件大小 规格书
4页 131K
描述
High-Voltage Low-Noise Amp Applications

2SA1016K 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.82
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.05 A
集电极-发射极最大电压:120 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):160JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.4 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):110 MHzVCEsat-Max:0.5 V
Base Number Matches:1

2SA1016K 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1016K_08 SANYO

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High-Voltage Low-Noise Amp Applications
2SA1016KF ETC

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TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92
2SA1016KG ETC

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TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92
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2SA1018 PANASONIC

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TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 70MA I(C) | TO-92
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 70MA I(C) | TO-92