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2SA1020

更新时间： 2024-11-17 06:16:15
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 164K
描述
PNP Transistor Plastic-Encapsulate Transistors

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2SA1020 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.61
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

2SA1020 数据手册

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2SA1020  
PNP Transistor  
Elektronische Bauelemente  
Plastic-Encapsulate Transistors  
RoHS Compliant Product  
A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free  
TO-92 MOD  
6.0±0.2  
4.9 0.2  
FEATURE  
Power Amplifier Applications  
1.0±0.1  
o
Ta=25  
MAXIMUM RATINGS  
C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCBO  
Collector-Base Voltage  
-50  
V
V
V
A
VCEO  
VEBO  
IC  
-50  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
+0.1  
–0.1  
0.45  
+0.1  
–0.1  
-5  
0.50  
-2  
(1.50 Typ.)  
mW  
1: Emitter  
2: Collector  
3: Base  
900  
Total Power Dissipation  
PD  
+0.1  
1.9  
–0.1  
O
C
Storage Temperature  
-55~+150  
Junction and  
TJ,  
Tstg  
1
2 3  
3.0 0.1  
Unit: mm  
o
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tamb=25  
unless otherwise specified  
Typ.  
Uni  
V
t
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
Min  
Max  
Test Conditions  
IC=-100µA,IE=0  
IC=-1mA,IB=0  
-50  
-
-
-
-
-
-
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector-Base Cutoff Current  
V
-50  
-5  
V
IE=-100µA,IC=0  
-
-
-
-
-1  
-1  
uA  
ICBO  
IEBO  
VCB=-50V,IE=0  
VBE=-5 V,IC=0  
Emitter-Base Cutoff Current  
Collector Saturation Voltage  
-
uA  
-0.5  
-1.2  
240  
-
VCE(sat)  
VBE(sat)  
hFE1  
-
-
IC=- 1A,IB=-50mA  
V
V
Base Satruation Voltage  
IC=-  
1A,IB=-50mA  
DC Current Gain  
-
70  
-
VCE=-2V, IC=-500A  
Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
100  
40  
fT  
MH  
VCE=-2V, IC=-500mA  
VCB=-10V, f=1MHz  
z
-
pF  
Cob  
-
Classification of hFE1  
Y
Rank  
O
Range  
120~240  
70~140  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changing of specification will not be informed individual  
01-Jun-2002 Rev. A  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1020_05 UTC

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