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2N7000-D75Z

更新时间： 2024-02-12 09:17:07

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安森美 - ONSEMI		开关小信号场效应晶体管
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4页	61K
描述
N沟道增强模式场效应晶体管60V，200mA，5Ω

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2N7000-D75Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.82
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.3 A
最大漏源导通电阻：	5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-226AA	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

2N7000-D75Z 数据手册

2N7000

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Drain–Source Breakdown Voltage

–

Vdc

(BR)DSS

= 0, I = 10 µAdc)

Zero Gate Voltage Drain Current

DSS

= 48 Vdc, V

= 0)

–

1.0

µAdc

mAdc

= 0, T = 125°C)

Gate–Body Leakage Current, Forward

(V = 15 Vdc, V = 0)

–

–10

nAdc

GSSF

GSF

ON CHARACTERISTICS (Note 1.)

Gate Threshold Voltage

0.8

3.0

Vdc

GS(th)

= V , I = 1.0 mAdc)

Static Drain–Source On–Resistance

Ohm

DS(on)

= 10 Vdc, I = 0.5 Adc)

–

5.0

6.0

= 4.5 Vdc, I = 75 mAdc)

Drain–Source On–Voltage

Vdc

DS(on)

= 10 Vdc, I = 0.5 Adc)

–

2.5

0.45

= 4.5 Vdc, I = 75 mAdc)

On–State Drain Current

(V = 4.5 Vdc, V

–

mAdc

d(on)

= 10 Vdc)

Forward Transconductance

(V = 10 Vdc, I = 200 mAdc)

100

µmhos

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Input Capacitance

–

iss

Output Capacitance

oss

= 25 V, V = 0,

f = 1.0 MHz)

Reverse Transfer

Capacitance

5.0

rss

SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 1.)

Turn–On Delay Time

–

= 15 V, I = 500 mA,

= 25 W, R = 30 W, V = 10 V)

gen

Turn–Off Delay Time

off

1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0%.

http://onsemi.com

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