Datasheet > 2N6372

2N6372

更新时间： 2024-11-30 12:50:03

品牌	Logo	应用领域
SEME-LAB		装置
页数	文件大小	规格书
1页	15K
描述
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N6372 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-66
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.08	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	6 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-213AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz
Base Number Matches：	1

2N6372 数据手册

2N6372

Dimensions in mm (inches).

Bipolar NPN Device in a

Hermetically sealed TO66

Metal Package.

6.35 (0.250)

8.64 (0.340)

3.68

(0.145) rad.

3.61 (0.142)

4.08(0.161)

rad.

max.

Bipolar NPN Device.

V_CEO= 80V

I_C= 6A

All Semelab hermetically sealed products

can be processed in accordance with the

requirements of BS, CECC and JAN,

JANTX, JANTXV and JANS specifications

1.27 (0.050)

1.91 (0.750)

4.83 (0.190)

5.33 (0.210)

9.14 (0.360)

min.

TO66 (TO213AA)

PINOUTS

1 – Base

2 – Emitter

Case – Collector

Parameter

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Units

V_CEO*

I_C(CONT)

h_FE

@ (V_CE/ I_C)

100

f_t

P_D

* Maximum Working Voltage

This is a shortform datasheet. For a full datasheet please contact sales@semelab.co.uk.

Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed

to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

Semelab plc.

Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

Generated

1-Aug-02

中文翻译

下载PDF

与2N6372相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N6372LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2
2N6373	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66
2N6373	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2N6373	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2N6373	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2N6373	NJSEMI	获取价格	Silicon N-P-N and P-N-P Medium-Power Transistors
2N6373	CENTRAL	获取价格	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
2N6374	CENTRAL	获取价格	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
2N6374	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66
2N6374	NJSEMI	获取价格	Silicon N-P-N and P-N-P Medium-Power Transistors