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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6371LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2N6372 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6372 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6372 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6372 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 |
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| 2N6372 | CENTRAL |
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COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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| 2N6372 | NJSEMI |
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Silicon N-P-N and P-N-P Medium-Power Transistors |
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| 2N6372LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 |
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| 2N6373 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 |
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| 2N6373 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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