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2N6360

更新时间: 2024-11-02 20:23:55
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APITECH 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 204K
描述
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,

2N6360 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.77外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):30 A集电极-发射极最大电压:100 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):15
JEDEC-95代码:TO-3JESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):150 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):10 MHzVCEsat-Max:1 V
Base Number Matches:1

2N6360 数据手册

 浏览型号2N6360的Datasheet PDF文件第2页 
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

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