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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5969 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 40A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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| 2N5969E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 40A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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| 2N5970 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N5970 | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 P |
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| 2N5970 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5970 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5970 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5970E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N5971 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| 2N5972 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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