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2N5969

更新时间: 2024-11-21 19:26:55
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美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 71K
描述
Power Bipolar Transistor, 40A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin,

2N5969 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.85
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):40 A
集电极-发射极最大电压:100 V最小直流电流增益 (hFE):30
JESD-30 代码:O-MUPM-D3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

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